KEITHLEY4200-SCS美国吉时利参数分析仪

什么是美国吉时利KEITHLEY4200-SCS参数分析仪？
美国吉时利KEITHLEY参数分析仪4200-SCS是一款能进行器件、材料或过程电气特性分析的模块化全集成参数分析仪。利用9个测量槽和内置低噪声接地单元，您可以根据测试要求或预算限制进行精密配置。

直流I-V测量是器件和材料测试的基础。美国吉时利KEITHLEY4200-SCS源测量单元（SMU）是高精度源电流或电压以及同步测量电流和电压的精密仪器。美国吉时利KEITHLEY4200-SCS提供的宽范围I-V测量包括：亚ρA漏电测量、μΩ电阻测量。

电容-电压（C-V）测试广泛用于确定各种半导体参数，例如掺杂浓度和分布、载流子寿命、氧化层厚度、界面态密度等。美国吉时利KEITHLEY4200-SCS提供3种C-V法：多频（1kHz~10MHz）C-V、超低频（10mHz~10Hz）C-V和准静态C-V。

在分析器件特性时，脉冲I-V测试非常适于防止器件自发热或最小化电荷俘获效应。通过用窄脉冲和/或小占空比脉冲代替直流信号，可以在保持DUT性能的同时提取重要参数。瞬态I-V测量能让科学家或工程师在时域采集超高速电流或电压波形以便研究动态特性。

保持MOS结构栅氧化层的质量和可靠性是半导体圆厂的一项关键任务。电容-电压（C-V）测量通常用于深入研究栅氧化层的质量。4200-SCS配备C-V仪器模块后能简化MOS电容器测量的检验和分析。4200-SCS包括了氧化层厚度、平带电压和阈值电压等常用测量参数。

应力测量检测常用于估计半导体器件的工作寿命和磨损性故障。标准WLR测试包括热载流子注入（HCI）或沟道热载流子（CHC），负偏压温度不稳定性（NBTI）以及与时间有关的介质击穿（TDDB）。这类数据用于评价器件设计和监控制造过程。

凭借超快I-V模块的多脉冲波形发生和测量功能，美国吉时利KEITHLEY4200-SCS专用于应对尖端的、非易失存储设备的挑战。下面示出强大功能能让您满足几乎所有NVM电池的测试需求。

纳米技术研究分子级物质，一个一个的原子，以建立具有全新特性的结构。现在的研究包括利用碳纳米管、半导体纳米线、有机分子电子和单电子器件的设备。由于物理尺寸太小，这些器件不能用标准方法测试。美国吉时利KEITHLEY4200-SCS参数分析仪具有广泛的测试应用库能让您快速、自信地完成测试。

什么是自动分析套件（ACS）?
自动分析套件（ACS）是功能强大的软件架构，便于工程师对半导体器件进行各种测试，对其特性进行详细的分析。自动分析套件（ACS）可以与吉时利公司多种业界一流的源测量单元（SMU）仪器及系统配合使用。利用标准的自动分析套件ACS，可以对在晶圆级或晶匣级对自动探针进行控制。对于手动和单一器件测试，可以考虑ACS Basic Edition. 对于高级多个待测器件晶圆级可靠性测试，可以使用标准自动分析套件（ACS）以及ACS-2600-RTM。

参数测试自动特性分析套件 （ACS）可用于过程控制监视（PCM）以及其他相关应用。由于它可以与图形用户接口（GUI）进行交互，非常适合小批量生产应用以及包含各种半定制硬件配置的实验室应用。

模片分类吉时利公司为半导体器件、传感器、MEMS以及小型模拟IC的片上模片分类或 已知优良模片（KGD） 测试提供高速解决方案，通过专有的高精密源测量单元（SMU）仪器或IV仪器可以对这类器件进行测试和分装。下面对吉时利公司诸多“测量能力”进行探讨和介绍。

晶圆级可靠性自动特性分析套件 （ACS）包括与HCI、NBTI、TDDB、EM等有关的各种测试模块和项目。而且吉时利公司的多种源测量单元仪器和系统已经扩展至多通道并行测试、超快NBTI、超高压Vds击穿测试。下面对吉时利公司诸多“测量能力”进行探讨和介绍。

IC器件特性分析对各种IC器件和测试结构的诸多深度测试、测量结果及参数采集进行创建和管理，包括MOSFET、MOSCAP、二极管、可靠性测试结果等。下面对吉时利公司诸多“测量能力”进行探讨和介绍。

组件特性分析对 MOSFET、双极晶体管、二极管、高功率IGBT等分立半导体器件的各种深度测试和测量结果进行创建和管理。下面对吉时利公司诸多“测量能力”进行探讨和介绍。